【ex官网登录入口】三星，超越美光

公众号记得加星标，超越美光第一时间看推送不会错过。三星

今年第三季度，超越美光三星电子超越美光科技，三星重夺高带宽内存（HBM）市场第二的超越美光位置。此前，三星ex官网登录入口该公司在第一季度和第二季度一度落后于美光，超越美光位居第三，三星但随着HBM3E（第五代）产品供应量的超越美光增加，其市场份额呈现回升趋势。三星在DRAM市场，超越美光三星也紧随领先企业SK海力士之后。三星

据市场研究公司Counterpoint Research 12月19日发布的超越美光数据显示，三星电子第三季度全球HBM市场份额（按营收计）达到22%，三星较上一季度的超越美光ex官网登录入口15%大幅增长7个百分点。同期，美光科技的市场份额为21%，被三星电子超越，位居第二。

SK海力士以57%的市场份额保住了第一的位置。虽然其市场份额仍超过一半，但与上一季度的外汇ex平台官网64%相比，其主导地位有所减弱。三星电子被认为已为反弹奠定了基础，这得益于其克服了对华出口减少的不利因素，并从第三季度开始全面供应HBM3E产品。

三星电子在整体DRAM市场也展开了激烈的争夺。在第三季度基于营收的DRAM市场份额排名中，SK海力士以34%的份额稳居榜首，三星电子紧随其后，市场份额为33%，两家公司之间的差距仅为1个百分点。SK海力士在今年第一季度实现了突破，历史上首次超越三星电子，荣登DRAM营收榜首。三星电子自1992年以来一直占据半导体行业霸主地位，如今却跌至第二位，这在半导体历史上是前所未有的。三星电子的市场份额从第二季度的32%提升至第三季度的33%，重夺第一的希望越来越大。美光科技以26%的市场份额位列第三。

由于价格创历史新高且供应量增加，本季度DRAM市场较上一季度增长了26%。三大内存厂商减产传统DRAM后，出现供应短缺，导致价格上涨。

行业分析师预计，明年HBM4市场的竞争将进一步加剧。三星电子正在下半年扩大HBM3E的产能，并加快下一代产品的研发。SK海力士预计将全力以赴，保持其在HBM领域的领先地位。

https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=259327

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第4263期内容，欢迎关注。

加星标第一时间看推送，小号防走丢

求推荐